Transistor HBT

3D Model

Un HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)

Es un tipo de transistor bipolar que utiliza diferentes materiales semiconductores para la unión entre el emisor y la base, formando una heterounión. Esto mejora el rendimiento en comparación con los BJT tradicionales.

Ejemplo de materiales:

Emisor de GaAs (arseniuro de galio) y base de AlGaAs (arseniuro de aluminio y galio). Ventaja clave: Permite mayor dopaje en la base sin pérdida de ganancia, lo que reduce la resistencia y mejora la velocidad de operación.